[发明专利]一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构及制造方法在审
| 申请号： | 201611097226.3 | 申请日： | 2016-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106409786A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 薛维平 | 申请（专利权）人： | 上海芯石微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201605 上海市松*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 常规双向ESD防护二极管的芯片电极一个从正面引出，一个从背面引出，DFN封装时，芯片背面和框架用银胶连接，正面打金属线连接，常规结构的局限性是芯片尺寸要小于框架尺寸，芯片需要减薄至150微米以下，且背面需要金属化，此发明所使用的双向ESD防护二极管的芯片，其两个电极可以都从正面引出，两个电极都通过银胶和框架连接，芯片只需要使用单晶片制造，不再用外延片，降低成本；芯片厚度只需做到200微米，降低碎片率；背面无需金属化，减少工艺；芯片尺寸可以是原来的1.5‑2倍，给超低电容芯片、更强抗浪涌能力芯片提供了更多的设计空间。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 双向 esd 防护 二极管 dfn 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种双向ESD防护二极管的DFN封装结构，其结构包括：DFN封装体（101）的框架（105）上连接银胶（104），银胶连接芯片电极（103），两个芯片电极都是从芯片（102）正面引出，芯片厚度小于200微米。
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