[发明专利]一种覆铜陶瓷及其制备方法有效
申请号: | 201611095518.3 | 申请日: | 2016-12-02 |
公开(公告)号: | CN108147832B | 公开(公告)日: | 2020-07-10 |
发明(设计)人: | 邵长健;林信平;徐强;刘成臣;宋山青 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C04B37/02 |
代理公司: | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 谭果林 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 为克服现有氮化铝陶瓷覆铜技术中存在陶瓷层和铜层结合不致密,界面处存在小气泡,容易鼓包,结合强度比较低的问题,本发明提供了一种覆铜陶瓷及其制备方法覆铜陶瓷制备方法,包括以下操作步骤:在氮化铝陶瓷表面形成氧化铝膜;在所述氧化铝膜表面形成改性层;其中,所述改性层中包括改性颗粒,所述改性颗粒包括玻璃粉;在所述改性层表面形成铜层,通过热处理使铜层、改性层与氮化铝陶瓷结合一体。本发明还提供了由上述方法制备得到的覆铜陶瓷。本发明在氮化铝陶瓷表面形成一层含有玻璃粉的表面改性层,使其在DBC工艺过程中抑制小气泡及鼓包等现象产生,增加铜层和氮化铝陶瓷之间的界面结合力。 | ||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种覆铜陶瓷,其特征在于,包括有氮化铝陶瓷、改性层和铜层;所述氮化铝陶瓷的表面形成有氧化铝膜;所述改性层中包括改性颗粒,所述改性颗粒包括玻璃粉,所述改性层位于所述氧化铝膜和铜层之间;所述改性层部分渗入所述氧化铝膜内形成莫来石相。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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