[发明专利]双面直接冷却散热结构的功率模块在审

专利信息
申请号: 201611094496.9 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN106449552A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: 张正义;麻长胜;王晓宝;赵善麒 申请(专利权)人: 江苏宏微科技股份有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 常州市维益专利事务所(普通合伙)32211 代理人: 贾海芬
地址: 213022 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种双面直接冷却散热结构的功率模块,功率模块单元的多个第一半导体芯片、多个第二半导体以及信号端和电极焊接固定在下层DBC基板上,第一半导体芯片的门极通过铝丝键合引出并与门极信号端连接,各第一、第二半导体芯片以及下层DBC基板上表面的钼片与上层DBC基板焊接形成电路的连接,上层DBC基板与下层DBC基板的四周边通过绝缘材料塑封形成固定外壳,具有空腔的上罩壳和具有空腔的下罩壳密封固定在固定外壳上并形成介质流道,上罩壳或/和下罩壳的两端设有孔,固定外壳上的电极和信号端位于上罩壳和下罩壳的外侧。本发明结构合理,有效减少寄生电感,提高模块的可靠性,并能大大提高散热效率。
搜索关键词: 双面 直接 冷却 散热 结构 功率 模块
【主权项】:
一种双面直接冷却散热结构的功率模块,其特征在于:包括上罩壳(1)、下罩壳(5)和至少一组功率模块单元,所述的功率模块单元包括上层DBC基板(7)、下层DBC基板(8)、多第一半导体芯片(11)、多个第二半导体芯片(12)以及信号端(3)和电极,各第一半导体芯片(11)、各第二半导体芯片(12)以及信号端(3)和电极焊接固定在下层DBC基板(8)上,各第一半导体芯片(11)的门极通过铝丝(10)键合引出,各第一半导体芯片(11)和各第二半导体芯片(12)以及下层DBC基板(8)上表面的钼片(9)与上层DBC基板(7)焊接形成电路的连接,上层DBC基板(7)与下层DBC基板(8)的四周边通过绝缘材料塑封形成固定外壳(2),且信号端(3)及电极端伸出固定外壳(2)的两侧,上层DBC基板(7)的底板上的凹凸面(7‑1)及下层DBC基板(8)的底板上的凹凸面(8‑1)位于固定外壳(2)的上下两端面,具有空腔的上罩壳(1)和具有空腔的下罩壳(5)密封固定在固定外壳(2)并形成介质流道,上罩壳(1)或/和下罩壳(5)的两端设有孔(5‑1),固定外壳(2)上的电极和信号端(3)位于上罩壳(1)和下罩壳(5)的外侧。
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