[发明专利]一种碳化硅的制备工艺在审

专利信息
申请号: 201611091216.9 申请日: 2016-12-01
公开(公告)号: CN106517210A 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 郝青 申请(专利权)人: 陕西玉航电子有限公司
主分类号: C01B32/97 分类号: C01B32/97
代理公司: 西安亿诺专利代理有限公司61220 代理人: 贾苗苗
地址: 710065 陕西省西安市高新*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种碳化硅的制备工艺。本发明所述碳化硅的制备工艺,其特征在于包括以下步骤(1)称3.5g膨胀石墨(青岛南墅宏达石墨制品有限公司)与10.5g硅溶胶(二氧化硅的质量分数为28.73%),加入1g硝酸镧,搅拌混合;(2)混合均匀后,搅拌加热至溶剂完全蒸发,得到碳化硅前驱体。将前驱体放入氧化铝管式炉中,在氩气保护下升温至1300℃,恒温6h,自然冷却至室温;(3)将反应后的样品取出,置于马弗炉中700℃焙烧4h,除去未反应的碳;(4)用盐酸和氢氟酸浸泡24h,除去未反应的二氧化硅,凝胶促进剂镧等杂质,经洗涤、过滤、干燥,得到灰白色的碳化硅。本发明所述碳化硅的制备工艺,方法简单,成品率高。
搜索关键词: 一种 碳化硅 制备 工艺
【主权项】:
一种碳化硅的制备工艺,其特征在于包括以下步骤:(1)取膨胀石墨与硅溶胶备用;以上原料均为市售;其中硅溶胶中二氧化硅的质量分数为28.73%;(2)3.5g膨胀石墨与10.5g硅溶胶加入1g硝酸镧,搅拌混合均匀;(3)混合均匀后,搅拌加热至溶剂完全蒸发,得到碳化硅前驱体;(4)将前驱体放入氧化铝管式炉中,在氩气保护下升温至1300℃ ,恒温6h,自然冷却至室温;(5)将反应后的样品取出,置于马弗炉中焙烧,除去未反应的碳;(6)用盐酸和氢氟酸浸泡20‑36h,除去未反应的二氧化硅,凝胶促进剂镧等杂质,经洗涤、过滤、干燥,得到灰白色的碳化硅。
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