[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611087923.0 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108133962A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 沈明达;张名辉;荘智贤;邱伟博 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal‑oxide‑semiconductor，LDMOS)结构及其制作方法，包含一栅极结构位于一基底上，一具有一第一导电型态的源极区，位于该基底中且位于该栅极结构的一边，一具有该第一导电型态的漏极区，位于该基底中且位于该栅极结构的另一边，以及一外延结构，位于该基底中，且位于该栅极结构与该漏极区之间。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 基底 导电型态 漏极区 横向扩散金属氧化物半导体结构 横向扩散金属氧化物半导体 外延结构 源极区 制作 | ||
【主权项】：
一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal‑oxide‑semiconductor，LDMOS)结构，包含：栅极结构，位于一基底上；具有一第一导电型态的源极区，位于该基底中且位于该栅极结构的一边；具有该第一导电型态的漏极区，位于该基底中且位于该栅极结构的另一边；以及外延结构，位于该基底中，且位于该栅极结构与该漏极区之间。
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