[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201611087923.0 | 申请日： | 2016-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN108133962A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 沈明达;张名辉;荘智贤;邱伟博 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 栅极结构 基底 导电型态 漏极区 横向扩散金属氧化物半导体结构 横向扩散金属氧化物半导体 外延结构 源极区 制作 | ||
1.一种横向扩散金属氧化物半导体(laterally diffused metal-oxide-semiconductor，LDMOS)结构，包含：
栅极结构，位于一基底上；
具有一第一导电型态的源极区，位于该基底中且位于该栅极结构的一边；
具有该第一导电型态的漏极区，位于该基底中且位于该栅极结构的另一边；以及
外延结构，位于该基底中，且位于该栅极结构与该漏极区之间。
2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，还包含有浅沟隔离，位于该基底中且至少环绕该源极区与该漏极区。
3.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该浅沟隔离为一环状结构。
4.如权利要求2所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，还包含有基体区，位于该基底中，并且至少环绕该浅沟隔离。
5.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该基体区包含有第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。
6.如权利要求4所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，还包含：
包含有该第二导电型态的阱区，位于该基底中，且该源极区位于该阱区中；以及
包含有该第一导电型态的漂移区，位于该基底中，且该漏极区位于该飘移区中。
7.如权利要求6所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该阱区与该漂移区被该浅沟隔离所包围。
8.如权利要求7所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该外延结构位于该漂移区中。
9.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该外延结构的材料包含有硅化锗、硅化磷或硅化碳。
10.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该外延结构不直接接触该栅极结构。
11.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中该外延结构的一顶面高于该基底的一顶面。
12.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体结构，其中还包含有多个掺杂离子位于该外延结构中，且各该掺杂离子具有第二导电型态，且该第二导电型态与该第一导电型态互补。
13.如权利要求1所述的LDMOS结构，还包含有：
第二栅极结构，位于该基底上，且该漏极区位于该栅极结构与该第二栅极结构之间；以及
具有该第一导电型态的第二源极区，位于该基底中，且该第二栅极结构位于该漏极区以及该第二源极区之间。
14.如权利要求2所述的LDMOS结构，其中该外延结构的一深度小于该浅沟隔离的一深度。
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