[发明专利]一种高性能LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种高性能LED芯片及其制作方法，其中，LED芯片包括：衬底、电流阻挡层、透明导电膜以及P电极，所述外延层包括缓冲层、N型半导体层、发光层、P型半导体层，所述透明导电膜与所述P型半导体层接触处形成第二开口，所述第二开口在P电极正下方，所述第二开口正上方的透明导电膜内形成第一开口，并且所述第一开口平面面积大于所述第二开口平面面积，所述电流阻挡层填充第一开口以及第二开口。本发明提高电流阻挡层对电流的扩散能力，进而提高LED芯片性能。

主权项

1.一种高性能LED芯片，包括：衬底，在所述衬底上自下而上依次外延形成缓冲层、N型半导体层、发光层和P型半导体层，所述P型半导体层边缘刻蚀至露出所述N型半导体层，N电极形成在露出的N型半导体层上，P电极包括P电极主体和沿电极主体向N电极一侧延伸的P引脚电极，其特征在于：在所述P型半导体层上形成第一透明导电膜，所述第一透明导电膜与所述P型半导体层接触处形成第二开口，所述第二开口在P电极正下方，并且所述第二开口平面面积不小于所述P电极平面面积，所述第二开口正上方的所述第一透明导电膜内形成第一开口，所述第一开口与第二开口相通，并且所述第一开口平面面积大于所述第二开口平面面积，电流阻挡层填充第一开口以及第二开口；第二透明导电膜覆盖电流阻挡层以及第一透明导电膜；P电极形成在第二透明导电膜上。