[发明专利]通过栅极自对准结改进结分布的替代体FINFET有效
| 申请号： | 201611079177.0 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN107068756B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | V·翁塔洛斯 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭示通过栅极自对准结改进结分布的替代体FINFET，在位于牺牲栅极结构的相对侧上的半导体的部分上形成外延半导体层以后，将来自该外延半导体层的掺杂物扩散进入该半导体鳍片中，以形成含掺杂物半导体鳍片。移除牺牲栅极堆叠，以设置暴露该含掺杂物半导体鳍片的部分的栅极空腔。移除该含掺杂物半导体鳍片的该暴露部分，以在该栅极空腔下方设置开口。至少自该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分的侧壁外延生长沟道，该沟道未经掺杂或者与该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分相比经较少掺杂。因此，在该沟道区与该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分之间形成突变结。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 栅极 对准 改进 分布 替代 finfet | ||
【主权项】：
暂无信息
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