[发明专利]通过栅极自对准结改进结分布的替代体FINFET

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

源区与漏区，相互隔开并位于衬底上；

沟道区，位于该源区与该漏区之间且位于该衬底上；以及

栅极堆叠，位于该沟道区上方，其中，该栅极堆叠的侧壁与该沟道区的侧壁垂直重合；

其中，第一突变结位于该沟道区与该源区之间的界面处，且第二突变结位于该沟道区与该漏区之间的界面处；

其中，位于该沟道区与该源区之间的该界面是该沟道区的该侧壁的一者，其与该栅极堆叠的该侧壁的一者垂直地重合，且位于该沟道区与该漏区之间的该界面是该沟道区的该侧壁的另一者，其与该栅极堆叠的该侧壁的另一者垂直地重合。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该源区及该漏区分别包括第一半导体材料，且该沟道区包括不同于该第一半导体材料的第二半导体材料。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其中，该源区及该漏区包括第一导电类型的掺杂物，且该沟道区包括与该第一导电类型相反的第二导电类型的掺杂物。

4.如权利要求1所述的半导体结构，还包括位于该源区上的抬升式源区以及位于该漏区上的抬升式漏区，其中，该抬升式源区及该抬升式漏区包括第一导电类型的掺杂物，其浓度大于在该源区及该漏区中的该第一导电类型的该掺杂物的浓度。

5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括位于该沟道区下方的模板区，其中，该模板区被该源区及该漏区横向包围并与该衬底直接接触。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中，该沟道区包括与该模板区的半导体材料不同的半导体材料。

7.一种形成半导体结构的方法，包括：

在半导体鳍片的部分上方形成牺牲栅极结构，该牺牲栅极结构包括牺牲栅极堆叠以及位于该牺牲栅极堆叠的侧壁上的栅极间隙壁；

在未被该牺牲栅极结构覆盖的该半导体鳍片的部分上方形成包括第一导电类型的掺杂物的外延半导体层；

通过将来自该外延半导体层的该掺杂物扩散进入该半导体鳍片中而形成含掺杂物半导体鳍片，其中，该含掺杂物半导体鳍片上的掺杂物浓度分布为渐变，以使位于该牺牲栅极堆叠下方的该含掺杂物半导体鳍片的部分与该含掺杂物半导体鳍片的另一部分相比具有较低的掺杂物浓度；

移除该牺牲栅极堆叠，以形成暴露该含掺杂物半导体鳍片的部分的栅极空腔；

移除该含掺杂物半导体鳍片的暴露的该部分，以在该栅极空腔下方设置开口；

在该开口中形成沟道区；以及

在该沟道区上方的该栅极空腔中形成功能栅极堆叠；

其中，位于该沟道区和该含掺杂物半导体鳍片的剩余部分之间的界面与该功能栅极堆叠的侧壁垂直重合。

8.如权利要求7所述的方法，其中，所述形成该含掺杂物半导体鳍片通过退火制程执行。

9.如权利要求7所述的方法，其中，该含掺杂物半导体鳍片的该另一部分延伸超过该栅极间隙壁的内侧壁并延伸于该牺牲栅极堆叠的周边部分的下方。

10.如权利要求7所述的方法，其中，在所述移除该含掺杂物半导体鳍片的暴露的该部分以后，被该牺牲栅极结构覆盖的该含掺杂物半导体鳍片的该剩余部分具有与该栅极间隙壁的内侧壁垂直重合的侧壁。

11.如权利要求7所述的方法，其中，所述移除该含掺杂物半导体鳍片的暴露的该部分为移除该含掺杂物半导体鳍片的暴露的该部分的全部，以暴露半导体衬底的顶部表面。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述形成该沟道区通过自被该栅极间隙壁覆盖的该含掺杂物半导体鳍片的部分的侧壁以及该半导体衬底的该顶部表面外延生长半导体材料来执行。

13.如权利要求7所述的方法，其中，所述移除该含掺杂物半导体鳍片的暴露的该部分为移除该含掺杂物半导体鳍片的暴露的该部分的全部，以暴露埋置绝缘体层的顶部表面。