[发明专利]一种环栅结构场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201611068963.0 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN106601815A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 何佳铸;刘新科;李奎龙;陈乐;何祝兵;俞文杰;吕有明;韩舜;曹培江;柳文军;曾玉祥;贾芳;朱德亮;洪家伟 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙)44312 | 代理人： | 王利彬 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于半导体器件，提供了一种环栅结构场效应晶体管，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层采用高介电常数电介质材料。本发明实施例提供的环栅结构场效应晶体管使用高介电常数电介质材料作为绝缘层，具备良好的绝缘属性，可在栅极和衬底通道之间产生较高的场效应，能够使晶体管漏电量降低并减少器件的耗电和发热，使晶体管的尺寸进一步缩小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 结构 场效应 晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种环栅结构场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、沉积在所述衬底上的二氧化硅层、分别沉积在所述二氧化硅层上的栅极、源极和漏极，所述栅极包括有源层、包围所述有源层的绝缘层及包围所述绝缘层的金属层，所述绝缘层采用高介电常数电介质材料。
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