[发明专利]一种柔性薄膜底栅双沟道晶体管

摘要

一种柔性薄膜底栅双沟道晶体管，包括衬底，所述的衬底为柔性衬底，所述衬底上依次设置有ITO导电层和SiO氧化层，所述SiO氧化层上设置有单晶硅薄膜、第一源极、第二源极、漏极和栅极，其中，所述单晶硅薄膜通过金属互联线分别连接第一源极、第二源极和漏极，所述栅极通过金属互联线连接导电柱的一端，所述导电柱的另一端依次插入所述的SiO氧化层和ITO导电层至衬底上，从而使所述的栅极通过金属互联线和导电柱连接ITO导电层。本发明可应用于柔性射频领域的，即应用于有源天线，远程射频识别，生物医学遥感，可折叠相控阵列天线等许多领域，制作工艺与柔性电容、电感、PIN二极管等完全兼容。能够通过结合使用单晶硅薄膜转移工艺实现高性能的薄膜晶体管。

主权项

一种柔性薄膜底栅双沟道晶体管，包括衬底(1)，其特征在于，所述的衬底(1)为柔性衬底，所述衬底(1)上依次设置有ITO导电层(2)和SiO氧化层(3)，所述SiO氧化层(3)上设置有单晶硅薄膜、第一源极(10)、第二源极(11)、漏极(12)和栅极(13)，其中，所述单晶硅薄膜通过金属互联线(14)分别连接第一源极(10)、第二源极(11)和漏极(12)，所述栅极(13)通过金属互联线(14)连接导电柱(9)的一端，所述导电柱(9)的另一端依次插入所述的SiO氧化层(3)和ITO导电层(2)至衬底(1)上，从而使所述的栅极(13)通过金属互联线(14)和导电柱(9)连接ITO导电层(2)。