[发明专利]静态随机存取存储单元的布局有效
| 申请号： | 201611056628.9 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN107039505B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 廖忠志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L27/11;H01L29/78;H01L23/528;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了静态随机存取存储(SRAM)单元，其由彼此相对设置的第一边界和第二边界以及彼此相对设置且与第一边界和第二边界交叉的第三边界和第四边界限定。SRAM单元包括第一反相器、交叉连接至第一反相器的第二反相器以及连接至交叉连接的第一反相器和第二反相器的第一传输门晶体管和第二传输门晶体管，其中，第一反相器包括第一P‑型上拉晶体管和第一N‑型下拉晶体管，第二反相器包括第二P‑型上拉晶体管和第二N‑型下拉晶体。第一P‑型上拉晶体管和第二P‑型上拉晶体管的源极区域由在第一边界和第二边界之间连续地延伸的主源极有源区域形成。第一传输门晶体管和第二传输门晶体管以及第一N‑型下拉晶体管和第二N‑型下拉晶体管的源极区域由彼此间隔开的不同的源极有源区域形成。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取 存储 单元 布局 | ||
【主权项】：
一种静态随机存取存储(SRAM)单元，所述静态随机存取存储单元由彼此相对设置的第一边界和第二边界以及彼此相对设置且与所述第一边界和所述第二边界相交的第三边界和第四边界限定，所述SRAM单元包括：第一反相器，包括第一P‑型上拉晶体管和第一N‑型下拉晶体管；第二反相器，包括第二P‑型上拉晶体管和第二N‑型下拉晶体管，并且所述第二反相器交叉连接至所述第一反相器；以及第一传输门晶体管和第二传输门晶体管，连接至交叉连接的所述第一反相器和所述第二反相器，其中：所述第一P‑型上拉晶体管和所述第二P‑型上拉晶体管的源极区域由在所述第一边界和所述第二边界之间连续延伸的主源极有源区域形成，和所述第一传输门晶体管、所述第二传输门晶体管以及所述第一N‑型下拉晶体管和所述第二N‑型下拉晶体管的源极区域由彼此间隔开的不同的源极有源区域形成。
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