[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201611054502.8 | 申请日： | 2016-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN106340509B | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 王汉清 | 申请（专利权）人： | 广西天融电气科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 | 代理人： | 张红;程立民 |
| 地址： | 545000 广西壮族自治*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供半导体衬底，其具有相对的上表面和下表面，在所述上表面形成有多个功能器件和接地焊盘；（2）在所述功能器件上方形成MIM电容器，所述MIM电容器垂直于所述上表面。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）提供半导体衬底，其具有相对的上表面和下表面，在所述上表面形成有多个功能器件和接地焊盘；（2）在所述上表面形成氧化硅层，在所述氧化硅层上依次形成屏蔽层和应力缓冲层，所述屏蔽层和所述应力缓冲层均平行于所述上表面；（3）形成电连接所述屏蔽层和接地焊盘的导电通路；（4）形成氧化硅层，氧化硅层覆盖所述应力缓冲层和屏蔽层，并形成用于电连接后续形成的MIM电容器和功能器件的导电通路；（5）形成氮化硅绝缘层，在氮化硅绝缘层中开槽填充金属，形成MIM电容器结构；（6）在所述氮化硅绝缘层上形成氧化硅绝缘保护层。
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