[发明专利]一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备有效
| 申请号： | 201611045887.1 | 申请日： | 2016-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN108091588B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 白志民;李强;邓斌;邓玉春;王厚工;丁培军 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;刘悦晗 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种退火工艺方法、工艺腔室及退火设备，在向工艺腔室内传片之前，向工艺腔室内通入第一气体，并使工艺腔室的压力维持在预设的阈值，在向工艺腔室内传片之后，向工艺腔室内通入第二气体，并使工艺腔室内的压力仍然维持在所述阈值，同时对晶片进行退火工艺，保持晶片传入前后，腔室内的压力恒定，可以避免在退火工艺过程中的气体乱流，不但可以降低工艺腔体内温度波动，提高腔室和晶片温度的均匀性，还可以缩短腔室内温度回复稳定的时间，从而提高设备产能。 | ||
| 搜索关键词： | 工艺腔 室内 工艺腔室 退火工艺 晶片 退火设备 退火工艺过程 设备产能 温度波动 压力恒定 压力维持 均匀性 乱流 腔室 预设 回复 体内 | ||
【主权项】：
1.一种退火工艺方法，其特征在于，所述方法包括：向工艺腔室内通入第一气体，并使所述工艺腔室的压力维持在预设的阈值；将晶片传输至所述工艺腔室内，向所述工艺腔室内通入第二气体，并使所述工艺腔室内的压力维持在所述阈值，同时对所述晶片进行退火工艺。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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