[发明专利]具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器

摘要

本文的实施方式一般针对半导体处理方法和装置。更具体地，这些实施方式涉及具有离子加速器的双室等离子体蚀刻器。半成品半导体衬底被提供在反应室中。所述反应室被栅组件分割成上子室和下子室。等离子体被产生在上子室中，衬底被置于下子室中。栅组件包括至少两个栅，每个栅被负偏，且每个栅包括允许某些物质穿过的穿孔。最上栅被负偏以排斥电子。最下栅(相较于最上栅)被进一步负偏以加速从上子室到下子室的正离子。蚀刻气体被直接供应到下子室。蚀刻气体和离子根据需要与衬底的表面反应以蚀刻衬底。

主权项

一种蚀刻衬底的方法，其包括：(a)在反应器的反应室中接收具有能去除的材料的衬底，(b)将等离子体产生气体供应到所述反应室中的栅组件上方，所述栅组件包括最上栅和最下栅，并从所述栅组件上方的所述等离子体产生气体产生等离子体，(c)同时将第一负偏压和第二负偏压分别施加给所述栅组件的所述最上栅和最下栅，其中施加给所述最下栅的所述第二负偏压比施加给所述最上栅的所述第一负偏压负压更大，并加速离子从所述等离子体穿过所述栅组件朝向所述衬底，(d)将蚀刻气体供应到所述栅组件下方，以及(e)蚀刻所述衬底以去除所述能去除的材料的至少一部分，其中在操作(a)‑(e)的过程中，所述栅组件下方的区域实质上没有等离子体。