[发明专利]半导体器件、显示装置和上述装置的制造方法在审
| 申请号： | 201611042379.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN107170747A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 大原宏树 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司11322 | 代理人： | 邸万杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种显示优良的电特性的半导体器件和该半导体器件的制造方法。另外，提供具有该半导体器件的显示装置和该显示装置的制造方法。该半导体器件包括具有氧化物半导体膜的第1晶体管、和包括第1晶体管上的层间膜、和位于层间膜上、含硅的半导体膜的第2晶体管。层间膜能够包含无机绝缘体。含硅的半导体膜能够包含多晶硅。层间膜能够包含无机绝缘体。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 显示装置 上述 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：基板；位于所述基板上，具有氧化物半导体膜的第1晶体管；所述第1晶体管上的层间膜；和位于所述层间膜上，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
