[发明专利]半导体器件、显示装置和上述装置的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体器件、具有半导体器件的显示装置和上述装置的制造方法。

背景技术

作为显示半导体特性的代表的例能够列举硅(硅)、锗等的第14族元素。特别是硅因容易入手、容易加工、优良的半导体特性、容易控制特性等，在几乎所有的半导体器件中使用，被定位于支撑电子工业的基础的材料。

近年来，氧化物、特别是铟、镓等的13族元素的氧化物显现出半导体特性，以此为契机进行努力的研究开发。作为显示半导体特性的代表的氧化物(以下，氧化物半导体)已知铟―镓氧化物(IGO)、铟―镓―锌氧化物(IGZO)等。最近的努力的研究开发的结果，作为半导体元件具有包含上述的氧化物半导体的晶体管的显示装置得以上市销售。另外，例如在日本特开2015-225104号公报中公开的方式，也开发组装有具有包含硅的半导体(以下，硅半导体)的晶体管和具有氧化物半导体的晶体管的两者的半导体器件。

发明内容

用于解决技术问题的技术方案

本发明的实施方式之一是一种半导体器件，其特征在于，包括：具有氧化物半导体膜的第1晶体管；第1晶体管上的层间膜；和位于层间膜上，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。

本发明的实施方式之一是一种显示装置，其特征在于，包括：基板；位于基板上，包含含显示元件的像素的显示区域；和位于基板上，构成为控制上述显示元件的驱动电路，上述像素包括：包含氧化物半导体膜，与显示元件电连接的第1晶体管；第1晶体管上的层间膜；和位于层间膜上，与第1晶体管电连接，具有含硅的半导体膜的第2晶体管。

本发明的实施方式的之一是半导体器件的制造方法，该制造方法在基板上形成具有氧化物半导体膜的第1晶体管，在第1晶体管上形成层间膜，在层间膜上形成与第1晶体管电连接的、具有含硅的半导体膜的第2晶体管。

附图说明

图1是本发明的实施方式之一的半导体器件的截面示意图。

图2是本发明的实施方式之一的半导体器件的截面示意图。

图3是本发明的实施方式之一的半导体器件的截面示意图。

图4是本发明的实施方式之一的半导体器件的截面示意图。

图5A至图5D是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制造方法的截面示意图。

图6A至图6C是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制造方法的截面示意图。

图7A、图7B是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制造方法的截面示意图。

图8A、图8B是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制造方法的截面示意图。

图9是表示本发明的实施方式之一的半导体器件的制造方法的截面示意图。

图10是本发明的实施方式之一的显示装置的上表面示意图。

图11是本发明的实施方式之一的显示装置的像素的等效电路。

图12是本发明的实施方式之一的显示装置的截面示意图。

图13是本发明的实施方式之一的显示装置的截面示意图。

图14是本发明的实施方式之一的显示装置的截面示意图。

图15是本发明的实施方式之一的显示装置的截面示意图。

图16是本发明的实施方式之一的显示装置的截面示意图。

具体实施方式

以下，参照附图等对本发明的各实施方式进行说明。本发明在不脱离其主旨的范围内能够以各种方式实施，不限于以下所例示的实施方式的记载内容进行解释。

在附图中，为了使说明更加明确，有时与实际的情况相比，对各部分的宽度、厚度、形状等示意地表示，但是终归是一个例子，不限定本发明的解释。在本说明书和各图中，关于与在已有的图中已说明的内容同样的功能的要素，标注同一附图标记，省略重复的说明。

在本发明中，在对某一个膜进行加工而形成多个膜的情况下，上述多个的膜具有不同的功能、作用。但是，上述多个膜来自在同一的工序中作为同一层成的膜，具有同一的层构造、同一的材料。所以，上述多个膜定义为存在于同一层。

在本说明书和权利要求的范围内，在表现在某一构造体之上配置另一构造体的方式时，简单标记为“之上”的情况只要无特别说明，包括以与某一构造体相接的方式在正上方配置另一构造体的情况和在某一构造体的上方还隔着另外的构造体配置另一构造体的情况的两者。

(第1实施方式)

本实施方式中，使用图1至图4说明本发明的实施方式之一所涉及的半导体器件。

[1.半导体器件100]