[发明专利]一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构在审
| 申请号： | 201611036779.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784208A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 莫春兰;全知觉;江风益;陶喜霞;刘军林;王光绪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含一个材料生长衬底；层叠于所述衬底上的GaN基半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN基半导体层、一层P型AlInGaN基半导体层和夹于N、P层之间的多量子阱发光有源层；特征是在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。本发明提高了电子注入主要发光阱的势垒，同时也提高了空穴溢出主要发光阱的势垒；可提高主要发光阱中的电子空穴匹配度，减少电子泄露，改善效率骤降效应，从而提高LED的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 基多 量子 发光二极管 外延 结构 | ||
【主权项】：
一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；在该衬底上层叠有AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN半导体层、一层P型AlInGaN半导体层和夹于N型AlInGaN半导体层、P型AlInGaN半导体层之间的AlInGaN多量子阱发光有源层，其特征在于：在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n‑1量子阱前的量子垒或第n、n‑1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。
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