[发明专利]一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构在审
| 申请号： | 201611036779.8 | 申请日： | 2016-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN106784208A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 莫春兰;全知觉;江风益;陶喜霞;刘军林;王光绪 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所36100 | 代理人： | 张文 |
| 地址： | 330047 *** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 alingan 基多 量子 发光二极管 外延 结构 | ||
1.一种AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，包含：一个用于材料生长的衬底；在该衬底上层叠有AlInGaN基半导体叠层，该AlInGaN基半导体叠层至少包含一层N型AlInGaN半导体层、一层P型AlInGaN半导体层和夹于N型AlInGaN半导体层、P型AlInGaN半导体层之间的AlInGaN多量子阱发光有源层，其特征在于：在多量子阱发光有源层中，第n量子阱前的量子垒或第n-1量子阱前的量子垒或第n、n-1量子阱前的量子垒的禁带宽度大于其它量子垒的禁带宽度。
2.根据权利要求1所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，其特征在于：AlInGaN多量子阱发光有源层的量子阱周期个数n为4到18个。
3.根据权利要求2所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构，其特征在于：除第n量子阱前的量子垒或第n-1量子阱前的量子垒或第n、n-1量子阱前的量子垒外，其他量子垒为GaN或InxGa1-xN(0≤x≤0.1)材料。
4.根据权利要求3所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构的外延结构，其特征在于：第n量子阱前的量子垒或第n-1量子阱前的量子垒或第n、n-)量子阱前的量子垒的材料为AlInGaN基材料：AlyInxGa1-x-yN(0≤x≤0.1，0≤y≤0.3)单层或1到3层材料。
5.根据权利要求3所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构的外延结构，其特征在于：第n量子阱前的量子垒或第n-1量子阱前的量子垒或第n、n-1量子阱前的量子垒的材料为AlInGaN基材料：AlyInxGa1-x-yN/InxGa1-xN超晶格(0≤x≤0.1，0≤y≤0.3；AlInGaN与InGaN中的In组分不必一致)。
6.根据权利要求5所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构的外延结构，其特征在于：AlInGaN/InGaN超晶格周期数在2至10之间。
7.根据权利要求1所述的AlInGaN基多量子阱发光二极管的外延结构的外延结构，其特征在于：所述衬底为Al2O3、SiC、Si或GaN。
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