[发明专利]发光二极管及其制造方法

摘要

本发明的示例性实施例提供了发光二极管(LED)芯片和一种制造该发光二极管芯片的方法。根据示例性实施例的LED芯片包括：基底；发光结构，布置在基底上；以及布置在基底下方的交替层压底部结构。交替层压底部结构包括多个电介质对，每个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，第一折射率比第二折射率大。

主权项

1.一种发光二极管芯片，包括：基底，在上表面具有预定的图案；发光结构，布置在所述基底上，发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；电极，包括与所述第二导电型半导体层电连接的电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部；透明电极层，形成于所述电极与所述第二导电型半导体层之间；交替层压下方结构，设置在所述第二导电型半导体层与所述透明电极层之间，且位于所述电极的下方；交替层压底部结构，反射从所述有源层发出的光；界面层，位于所述基底与所述交替层压底部结构之间；所述交替层压底部结构分别包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层的多个电介质对，所述第一折射率大于所述第二折射率，所述多个电介质对包括：多个第一电介质对，每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4；至少两个第二电介质对，每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4，另一个材料层的光学厚度大于λ/4；以及多个第三电介质对，每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4，其中，λ是可见光范围的中心波长。