[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管芯片，包括：

基底，在上表面具有预定的图案；

发光结构，布置在所述基底上，发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；

电极，包括与所述第二导电型半导体层电连接的电极焊盘以及从所述电极焊盘延伸的延伸部；

透明电极层，形成于所述电极与所述第二导电型半导体层之间；

交替层压下方结构，设置在所述第二导电型半导体层与所述透明电极层之间，且位于所述电极的下方；

交替层压底部结构，反射从所述有源层发出的光；

界面层，位于所述基底与所述交替层压底部结构之间；

所述交替层压底部结构分别包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层的多个电介质对，所述第一折射率大于所述第二折射率，

所述多个电介质对包括：

多个第一电介质对，每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4；

至少两个第二电介质对，每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4，另一个材料层的光学厚度大于λ/4；以及

多个第三电介质对，每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层，第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4，

其中，λ是可见光范围的中心波长。

2.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述第二电介质对包括：

由具有小于λ/4的光学厚度的第一材料层以及具有大于λ/4的光学厚度的第二材料层形成的一个电介质对；以及

由具有大于λ/4的光学厚度的第一材料层以及具有小于λ/4的光学厚度的第二材料层形成的另一电介质对。

3.如权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述另一电介质对位于比所述一个电介质对远离所述基底的位置。

4.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述可见光范围的中心波长是550nm。

5.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述多个第一电介质对位于比所述多个第三电介质对相对更靠近或更远离所述基底的位置。

6.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述至少两个第二电介质对布置在所述交替层压底部结构的中央附近。

7.如权利要求6所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述至少两个第二电介质对位于所述多个第一电介质对和所述多个第三电介质对之间。

8.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述多个第一电介质对中的一半或更多比最靠近所述基底的第二电介质对更靠近所述基底，

所述多个第三电介质对中的一半或更多比最远离所述基底的第二电介质对更远离所述基底。

9.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述多个第一电介质对中的80％以上的第一电介质对比最靠近所述基底的第二电介质对更靠近所述基底，

所述多个第三电介质对中的80％以上的第三电介质对比最远离所述基底的第二电介质对更远离所述基底。

10.如权利要求8所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述多个第一电介质对比所述多个第三电介质对位于更靠近所述基底的位置。

11.如权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，

所述多个第三电介质对中的一半或更多比最靠近所述基底的第二电介质对更靠近所述基底，

所述多个第一电介质对中的一半或更多比最远离所述基底的第二电介质对更远离所述基底。