[发明专利]发光二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201611035832.2 | 申请日： | 2011-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN106653974B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 许暋赞;陈相奇;金钟奎;慎镇哲;李晓罗;李剡劤 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/46 | 分类号： | H01L33/46;H01L33/08;H01L33/20;H01L33/50;H01L33/60;H01L33/62 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明的示例性实施例提供了发光二极管(LED)芯片和一种制造该发光二极管芯片的方法。根据示例性实施例的LED芯片包括：基底；发光结构，布置在基底上；以及布置在基底下方的交替层压底部结构。交替层压底部结构包括多个电介质对，每个电介质对包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，第一折射率比第二折射率大。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，包括：基底；发光结构，位于所述基底上，所述发光结构包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及设置在所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的有源层；以及交替层压底部结构，位于所述基底下方，所述交替层压底部结构包括多个电介质对，所述多个电介质对中的每个包括具有第一折射率的第一材料层和具有第二折射率的第二材料层，所述第一折射率大于所述第二折射率，所述多个电介质对包括：多个第一电介质对，每个第一电介质对包括第一材料层和第二材料层，多个第一电介质对中的第一材料层和第二材料层的光学厚度均小于λ/4；至少一个第二电介质对，每个第二电介质对包括第一材料层和第二材料层，第二电介质对中的第一材料层和第二材料层中的一个材料层的光学厚度小于λ/4，另一个材料层的光学厚度大于λ/4；以及多个第三电介质对，每个第三电介质对包括第一材料层和第二材料层，第三电介质对中的第一材料层和第二材料层的光学厚度均大于λ/4，其中，λ是可见光范围的中心波长，且λ为550nm，其中，所述至少一个第二电介质对被第一电介质对或第三电介质对围绕，或者被一个第一电介质对和一个第二电介质对围绕。
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