[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板有效
| 申请号： | 201611033946.3 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106783532B | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 方宏 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324;H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 李庆波 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜的制备方法，所述方法包括：在基板上形成金属层；利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影，得到金属图案，所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区；在所述金属图案上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。本发明还提供一种薄膜晶体管、阵列基板以及液晶显示面板。本发明提供的低温多晶硅薄膜的制备方法中，通过在基板上形成金属图案，使得金属区与硅岛区形成温度差，非晶硅层重结晶时，在低温区形成晶粒结晶的起点，向温度较高的硅岛区侧向结晶，形成均匀的、较大的多晶硅晶粒、具有很高的电子迁移率的低温多晶硅薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 制备 方法 薄膜晶体管 阵列 以及 液晶显示 面板 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基板上形成金属层；利用第一光罩对所述金属层进行曝光显影，得到金属图案，所述金属图案包括镂空的硅岛区和位于所述硅岛区左右侧或者上下侧的金属区；在所述金属图案上形成非晶硅层；对所述非晶硅层进行高温处理和激光退火，进而使所述非晶硅层形成多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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