[发明专利]单行载流子光电探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201611033323.6 | 申请日： | 2016-11-22 |
| 公开（公告）号： | CN108091720A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 王梦雪;杨文献;代盼;谭明;吴渊渊;陆书龙 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0304;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种单行载流子光电探测器及其制备方法。单行载流子光电探测器包括相对且平行设置的衬底和接触层、形成在所述衬底和所述接触层之间的至少两个单行载流子光电二极管以及形成在每两个单行载流子光电二极管之间的蚀刻阻挡层；其中，每个单行载流子光电二极管包括叠层设置的阻挡层、吸收层、隔离层、集结层、次集结层。本发明的单行载流子光电探测器包括至少两个单行载流子光电二极管，其吸收层采用渐变掺杂，有效地增加了光通道吸收区域的厚度，提高了单行载流子光电探测器的响应度和量子效率。因此，本发明能实现在不改变带宽和饱和电流情况下，大大地提高单行载流子光电探测器的响应度和量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 载流子 光电探测器 光电二极管 量子效率 集结层 接触层 吸收层 响应度 衬底 制备 蚀刻阻挡层 饱和电流 平行设置 吸收区域 隔离层 光通道 有效地 阻挡层 渐变 叠层 带宽 掺杂 | ||
【主权项】：
1.一种单行载流子光电探测器，其特征在于，包括相对且平行设置的衬底和接触层、形成在所述衬底和所述接触层之间的至少两个单行载流子光电二极管以及形成在每两个单行载流子光电二极管之间的蚀刻阻挡层；其中，每个单行载流子光电二极管包括叠层设置的阻挡层、吸收层、隔离层、集结层、次集结层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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