[发明专利]一种快恢复功率二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201611033040.1 | 申请日： | 2016-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN106571402A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 李洪军;邵枫 | 申请（专利权）人： | 吉林瑞能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司11258 | 代理人： | 彭琼 |
| 地址： | 132013 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供一种快恢复功率二极管及其制造方法。该快恢复功率二极管的制造方法包括注入工艺、扩散工艺、硅片减薄工艺、沟槽腐蚀工艺、电泳及烧结工艺。本发明通过上述的制造方法，可以实现高效率且低成本的快恢复功率二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 恢复 功率 二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种快恢复功率二极管的制造方法，包括：注入工艺，向硅片衬底注入掺杂源；扩散工艺，通过扩散，在硅片衬底上形成PN结和氧化层；硅片减薄工艺，将硅片减薄到预定的厚度；沟槽腐蚀工艺，在硅片表面腐蚀出一定深度的沟槽，所述沟槽的厚度超过所述PN结的厚度；以及电泳及烧结工艺，在所述沟槽内形成钝化层，其中，在所述注入工艺之后所述沟槽腐蚀工艺之前实施所述硅片减薄工艺。
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