[发明专利]一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法有效
申请号: | 201611027276.4 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN107068311B | 公开(公告)日: | 2018-10-16 |
发明(设计)人: | 施彦良;林勇名;郑志伟 | 申请(专利权)人: | 江西兴勤电子有限公司 |
主分类号: | H01C7/10 | 分类号: | H01C7/10;H01C17/06;C04B35/453;C04B35/622;C03C12/00 |
代理公司: | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人: | 秦月贞 |
地址: | 333000 江西省*** | 国省代码: | 江西;36 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法,压敏电阻器包括陶瓷主体,所述陶瓷主体的内部设置有若干左右交错设置的内电极,且该陶瓷主体的两端设置有外电极,所述内电极与外电极电连接,所述陶瓷主体包括以下质量分数的原料:80~97.5wt%主原料和2.5~20wt%副原料,所述主原料包括氧化锌,所述副原料包括以下质量分数的添加剂:0.05~20 wt%的第一添加剂、0.1~5.0 wt%的第二添加剂、0.1~1.5 wt%的第三添加剂和0.001~1.0 wt%的第四添加剂,所述第一添加剂包括B‑Bi‑Zn‑Pr或B‑Bi‑Zn‑La微奈米玻璃粉中的一种或两种;所述第二添加剂包括过渡金属Co、Cr、Ni、Mn的氧化物或化合物中的至少一种;所述第三添加剂包括SnO2,所述第四添加剂包括含银化合物或含铝化合物中的至少一种。 | ||
搜索关键词: | 添加剂 陶瓷主体 压敏电阻器 第一添加剂 低温烧结 质量分数 副原料 内电极 外电极 主原料 制备 含铝化合物 含银化合物 过渡金属 两端设置 内部设置 左右交错 玻璃粉 电连接 氧化锌 氧化物 | ||
【主权项】:
1.一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器,包括陶瓷主体,所述陶瓷主体的内部设置有若干左右交错设置的内电极,且该陶瓷主体的两端设置有外电极,所述内电极与外电极电连接,其特征在于:所述陶瓷主体包括以下质量分数的原料:80‑97.5wt%主原料和2.5‑20wt%副原料,所述主原料包括氧化锌,所述副原料包括以下质量分数的添加剂:0.05‑20wt%的第一添加剂、0.1‑5.0wt%的第二添加剂、0.1‑1.5wt%的第三添加剂和0.001‑1.0wt%的第四添加剂,所述第一添加剂包括B‑Bi‑Zn‑Pr或B‑Bi‑Zn‑La微奈米玻璃粉中的一种或两种;所述第二添加剂包括过渡金属Co、Cr、Ni、Mn的化合物中的至少一种;所述第三添加剂包括SnO2,所述第四添加剂包括含银化合物或含铝化合物中的至少一种。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江西兴勤电子有限公司,未经江西兴勤电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201611027276.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。