[发明专利]一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器及其制备方法

权利要求书

1.一种低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器，包括陶瓷主体，所述陶瓷主体的内部设置有若干左右交错设置的内电极，且该陶瓷主体的两端设置有外电极，所述内电极与外电极电连接，其特征在于：所述陶瓷主体包括以下质量分数的原料：80-97.5wt％主原料和2.5-20wt％副原料，所述主原料包括氧化锌，所述副原料包括以下质量分数的添加剂：0.05-20wt％的第一添加剂、0.1-5.0wt％的第二添加剂、0.1-1.5wt％的第三添加剂和0.001-1.0wt％的第四添加剂，所述第一添加剂包括B-Bi-Zn-Pr或B-Bi-Zn-La微奈米玻璃粉中的一种或两种；所述第二添加剂包括过渡金属Co、Cr、Ni、Mn的化合物中的至少一种；所述第三添加剂包括SnO₂，所述第四添加剂包括含银化合物或含铝化合物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器，其特征在于：所述含银化合物包括Ag₂O或AgNO₃。

3.根据权利要求1所述的低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器，其特征在于：所述含铝化合物包括Al₂O₃或Al(NO₃)₃。

4.根据权利要求1所述的低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器，其特征在于：所述陶瓷主体的内电极为钯、铂含量小于30wt％的银钯或银铂合金。

5.根据权利要求1所述的低温烧结制成的不含锑成分压敏电阻器，其特征在于：所述陶瓷主体的外电极为银或铜。

6.一种不含锑成分压敏电阻器的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、B-Bi-Zn-Pr或B-Bi-Zn-La玻璃成分的制备：

取2-30wt％的B₂O₃、3.0-30wt％的Bi₂O₃、3.0-30wt％的ZnO、3.0-25％的Pr₆O₁₁或3.0-25wt％La₂O₃的粉末，经由研磨混合、烘干后，在500-900℃形成熔融状态，之后以喷涂方式快速凝固形成50-500nm粒径之微奈米玻璃；

S2、粉料的制备：

首先称取0.05-20％的B-Bi-Zn-Pr或B-Bi-Zn-La微奈米玻璃粉中的一种或两种混合物，接着加入0.1-5.0wt％的Co₃O₄、Cr₂O₃、Mn₃O₄、NiO中的至少一种、0.1-1.5％的SnO₂、0.001-1.0wt％Al(NO₃)₃·9H₂O及AgNO₃，将以上所有粉末研磨混合、烘干后，以750-950℃煅烧2小时，接着将煅烧过的粉末研磨；

S3、配制浆料及制带：

将步骤S2制备的粉料与80-97.5wt％ZnO粉混合，加入黏结剂、塑化剂、分散剂及有机溶剂调成浆料，刮成厚度5-150μm的生胚薄带；

S4、印叠成型及切割：

用数张外层生胚薄带先迭好，分别迭压成厚度200μm的上盖和下盖，对所述下盖印刷上内电极，烘干后，再放置厚度30μm内层生胚薄带，再印上内电极，将上盖放置于上述内层生胚薄带的上方一起迭好，经均压压合后，切割成生胚晶粒；

S5、排胶、烧结、封端及电镀：

将生胚晶粒放入排胶炉中排胶，排胶温度300-600℃，时间18-36小时，再将排胶后生胚放入烧结炉中烧结，烧结温度900-1200℃，时间1.8-2.4小时，晶粒烧结成陶瓷主体，再于陶瓷主体左右两端沾上外电极，以600-900℃烧附，再将晶粒电镀镍、锡金属，即制成不含锑成分压敏电阻器。