[发明专利]半导体装置的制造方法

摘要

本公开的实施例提供半导体装置的制造方法，此方法包含以辐射光束照射基底的第一表面。当照射基底的第一表面时，将前驱气体引入靠近第一表面，以沉积包含第一材料的一层。在沉积此层之后，从靠近第一表面处将前驱气体移除。在移除前驱气体之后与在形成另一层于此层上方之前，当照射此层的第二表面时，将清洁气体引入靠近此层的第二表面，以将第一材料转变为第二材料。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括:以一辐射光束照射一基底的一第一表面；当照射该基底的该第一表面时，将一前驱气体引入靠近该第一表面，以沉积包含一第一材料的一层；在沉积该层之后，从靠近该第一表面处将该前驱气体移除；以及在移除该前驱气体之后与在形成另一层于该层上方之前，当照射该层的一第二表面时，将一清洁气体引入靠近该层的该第二表面，以将该第一材料转变为一第二材料。