[发明专利]4H-SiC晶体生长设备及方法在审
| 申请号： | 201611022469.0 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108070908A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 三重野文健 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B15/02;C30B11/12 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种4H‑SiC晶体生长设备及方法，所述4H‑SiC晶体生长设备包括：晶体生长炉；石墨坩埚，位于所述晶体生长炉内；碳源及硅源供给系统，包括气体源及输气管；所述输气管一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉的顶部延伸至所述石墨坩埚内的碳源及硅源上方；加热器，位于所述晶体生长炉内，且位于所述石墨坩埚的外围。通过增设碳源及硅源供给系统，可以在4H‑SiC晶体生长过程中为其提供充足的碳源及硅源补给；同时，由于补充的碳源及硅源以SiC的形式形成于碳源及硅源溶液的表面，不会对碳源及硅源溶液的温度造成不良影响，生长的4H‑SiC晶体中不会产生缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 硅源 晶体生长炉 晶体生长设备 石墨坩埚 供给系统 硅源溶液 气体源 输气管 晶体生长过程 加热器 形式形成 补给 外围 增设 生长 补充 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种4H-SiC晶体生长设备，其特征在于，所述4H-SiC晶体生长设备包括：晶体生长炉；石墨坩埚，位于所述晶体生长炉内；所述石墨坩埚适于放置4H-SiC晶体生长所需的碳源及硅源；碳源及硅源供给系统，包括气体源及输气管；所述输气管一端与所述气体源相连接，另一端自所述晶体生长炉的顶部延伸至所述石墨坩埚内的碳源及硅源上方；所述碳源及硅源供给系统适于在晶体生长过程中向所述晶体生长炉内通入碳源气体及硅源气体，以在所述碳源及硅源表面形成SiC；加热器，位于所述晶体生长炉内，且位于所述石墨坩埚的外围，适于在晶体生长过程中为所述石墨坩埚内的所述碳源及硅源加热以使其熔化，并为所述碳源气体及所述硅源气体提供反应所需的温度。
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