[发明专利]电子元件的制造方法及层叠体有效
| 申请号： | 201611020516.8 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107039327B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 柿村崇 | 申请（专利权）人： | 株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L51/56 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 日本京都府京都市上京区堀*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电子元件的制造方法及层叠体。本发明涉及一种在制造电子元件时可将层叠体中的基层与电子元件良好地剥离的技术。当一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在该腔室内形成类金刚石碳层时，调整相对于供给至基层的一方向侧的碳的供给量的氢的供给量的比率。类金刚石碳层作为通过使该层中的氢成分进行气化而从基层上剥离电子元件的剥离层发挥功能。因此，通过事先调整类金刚石碳层中的氢含有率，其后可从基层上良好地剥离电子元件。 | ||
| 搜索关键词： | 电子元件 制造 方法 层叠 | ||
【主权项】：
1.一种电子元件的制造方法，其特征在于包括：/n类金刚石碳层形成步骤，一面向腔室内供给含有氢的气体，一面在所述腔室内在基层的一方向侧形成类金刚石碳层；/n电子元件形成步骤，在所述类金刚石碳层的所述一方向侧形成电子元件，而获得具有所述基层、所述类金刚石碳层及所述电子元件的层叠体；以及/n剥离步骤，使所述类金刚石碳层中的氢成分进行气化而从所述基层上剥离所述电子元件；且/n在所述类金刚石碳层形成步骤中，调整相对于供给至所述基层的所述一方向侧的碳的供给量的所述氢的供给量的比率，/n在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率经时地变化的方式进行调整，/n所述类金刚石碳层形成步骤包括：/n前期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的厚度方向上的所述基层侧的第1区域；/n中期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的所述厚度方向上的中央侧的第2区域；以及/n后期步骤，形成位于所述类金刚石碳层中的所述厚度方向上的所述电子元件侧的第3区域；且/n在所述类金刚石碳层形成步骤中，以所述比率在所述前期步骤及所述后期步骤中的至少一个步骤中高于所述中期步骤的方式进行调整。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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