[发明专利]晶圆表面除污的方法、冲洗和湿法清洗工艺及机台在审
| 申请号： | 201611009832.5 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108074796A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 柴娜;赵九洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种晶圆表面除污的方法、冲洗和湿法清洗工艺及机台，其中，所述晶圆表面除污的方法中，先在晶圆的表面覆盖可剥离膜，所述可剥离膜至少面向所述晶圆的一面具有粘性，利用所述可剥离膜的表面张力和粘附力粘附颗粒或其他残留物，然后将所述可剥离膜从所述晶圆的表面剥离，所述晶圆表面的颗粒或其他残留物随所述可剥离膜被去除，可以有效地减少或去除晶圆的表面颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 可剥离 晶圆 晶圆表面 除污 机台 湿法清洗工艺 粘附 去除 冲洗 有效地减少 表面覆盖 表面颗粒 圆表面 种晶 剥离 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆表面除污的方法，其特征在于，包括：在晶圆的表面覆盖可剥离膜，所述可剥离膜至少面向所述晶圆的一面具有粘性；以及将所述可剥离膜从所述晶圆的表面剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
