[发明专利]具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法及装置有效
申请号: | 201611007492.2 | 申请日: | 2016-11-16 |
公开(公告)号: | CN106381477B | 公开(公告)日: | 2019-02-01 |
发明(设计)人: | 杨光;茅潇潇;陈宏飞;刘斌;罗宏杰;高彦峰 | 申请(专利权)人: | 上海大学 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/40;C23C16/52;C30B25/16;C30B29/22 |
代理公司: | 上海上大专利事务所(普通合伙) 31205 | 代理人: | 顾勇华 |
地址: | 200444*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法及装置。采用镧的有机盐和锆的有机盐作为LCVD的前驱体;所得混合前驱体在原料罐中,于335℃~355℃;并在预热至360℃的管道内将其由Ar气体运载至CVD腔体内;同时O2通过另一个独立的管路到达CVD腔体内,并与前驱体一起在腔内的喷嘴出口处混合;接着气体混合后以一定的流速喷向基片,此基片已经有一定的预热温度外加波长976 nm的连续激光辐照;最后混合气体在基片表面处遇高温反应,得到LZ沉积在基片上。本发明提供了一种具有柱状晶LZ薄膜的LCVD制备方法,该方法可以以较快的速度、工艺简单、较低的设备成本制备出高质量的柱状晶LZ薄膜,制备出薄膜具有镀膜效率高,镀膜纯度高,膜厚均匀等明显的优点。 | ||
搜索关键词: | 具有 柱状 锆酸镧 薄膜 制备 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法,其特征在于,该方法的具体步骤为:a.将镧的有机盐和锆的有机盐按(1~1.5):1的摩尔比搅拌混合均匀,以10~15℃/min速度加热至335~355℃,得到前驱体气体;然后通入第一载气,载气的流量为:20~50ml/min;b.将步骤a的前驱体气体与第一载气的混合气体A与第二载气混合形成混合气体B,该混合气体B再与反应气体混合形成混合气体C,c.反应基片放置在CVD腔体内的基板座(9)上,通过安装在基板座(9)下的石墨片加热装置对反应基片进行加热,当反应基片的温度达到800~1000℃,向反应基片进行激光辐照,并使步骤b所得混合气体C通过喷头喷向反应基片,反应10~20分钟,在基片上生成柱状晶LZ薄膜;所述的第二载气和所述的混合气体B的流量为20~50ml/min,所述的反应气体的流量为:140~200ml/min;总压为750~1000Pa;所述的激光辐照的功率为:0W至1200W;用于实现所述具有柱状晶的锆酸镧薄膜的制备方法,采用一种激光增强CVD镀膜设备,包括沉积腔(11),光学扩束均化系统(12),喷头(13),连续激光(14),石墨片加热装置(15),第一气体流量计(31),第二气体流量计(32),第三气体流量计(33),第一气体阀门(41),第二气体阀门(42),第三气体阀门(43),第一原料罐(51),第二原料罐(52),红外测温系统(6),第一光学窗口(71),第二光学窗口(72),反应基片(8),基板座(9),真空泵(10);所述镧的有机盐和锆的有机盐在第一原料罐(51)中气化,形成前驱体气体;所述的第一载气(22)经第二气体流量计(32)流经第一原料罐(51)与前驱体气体混合,形成混合气体A;气体流量由第二气体阀门(42)调控;第二载气(23)经第三气体流量计(33)和第二原料罐(52)与混合气体A混合形成混合气体B;所述的第二载气的流量由第三气体阀门(43)调控;反应气体(21)经第一气体流量计(31)与混合气体B混合,形成混合气体C;该反应气体的流量由第一气体阀门(41)调控;反应基片(8)放置在位于沉积腔(11)内的基板座(9)上, 基板座(9)下设置有石墨片加热装置(15);经光学扩束均化系统(12)处理过的连续激光(14)通过位于沉积腔(11)上的第二光学窗口(72)照射到反应基片(8),反应温度由红外测温系统(6)进行控制;所述的红外测温系统(6)安装在沉积腔(11)上的第一光学窗口(71)上;所述的混合气体C经喷头(13)喷向反应基片(8);所述的喷头(13)喷嘴到反应基片(8)的距离为20~30mm;所述的真空泵(10)用于调控沉积腔(11)的压力。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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