[发明专利]导电外部连接器结构、半导体器件及形成方法有效

专利信息
申请号: 201611001301.1 申请日: 2016-11-14
公开(公告)号: CN107017169B 公开(公告)日: 2020-01-10
发明(设计)人: 施孟甫;罗俊彦;黄震麟;陈文明;黄建铭;刘原甫;郑咏全;黄威志;刘承勋;詹前彬;徐玉女;林奇鸿;庞德勋;古进誉 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/498
代理公司: 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 代理人: 章社杲;李伟
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 讨论了外部电连接件和形成这种外部电连接件的方法,一种方法包括在衬底上形成外部电连接结构。形成外部电连接结构包括在第一溶液中的衬底处产生的第一搅拌等级的情况下在衬底上电镀柱。该方法还包括在第二溶液中的衬底处产生的第二搅拌等级的情况下,在外部电连接结构上电镀焊料。在衬底处产生的第二搅拌等级大于在衬底处产生的第一搅拌等级。电镀焊料还包括在外部电连接结构的侧壁上形成外壳。本发明还提供了半导体器件及形成方法。
搜索关键词: 导电 外部 连接器 结构 半导体器件 形成 方法
【主权项】:
1.一种用于形成半导体器件的方法,包括:/n在衬底上形成外部电连接结构,形成所述外部电连接结构包括在第一溶液中的所述衬底处产生的第一搅拌等级的情况下,在所述衬底上的掩模中电镀柱;在第二溶液中的所述衬底处产生的第二搅拌等级的情况下,在所述外部电连接结构上电镀焊料,在所述衬底处产生的所述第二搅拌等级大于在所述衬底处产生的所述第一搅拌等级;/n其中,电镀所述焊料还包括使所述掩模伸缩以形成介于所述外部电连接件的侧壁和所述掩模之间的间隙,并在所述间隙中形成外壳。/n
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