[发明专利]IBC电池的制作方法

摘要

本发明公开了一种IBC电池的制作方法，包括：在衬底的背面形成多条凹槽；在背面上形成本征多晶硅或本征非晶硅；在对应凹槽的多晶硅或非晶硅上形成第一阻挡部；对未被覆盖的本征多晶硅或者本征非晶硅实现第一导电类型掺杂元素的掺杂；在背面上形成第二阻挡部，第二阻挡部覆盖部分的第一导电类型掺杂区；对未被第二阻挡部覆盖的第一导电类型掺杂区进行第二导电类型掺杂元素的掺杂；在背面上与每条凹槽相对应的位置处形成第三阻挡部并暴露出至少部分第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区；在背面形成金属层；剥离第三阻挡部以及覆盖于第三阻挡部上的金属层。本发明的背面掺杂工艺中对准难度比较低、钝化和掺杂一起完成并且钝化效果比较好。

主权项

1.一种IBC电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1：在一衬底的背面形成多条凹槽；/nS2：在该背面上形成氧化层，在该氧化层上形成本征多晶硅或者本征非晶硅；/nS3：在对应于凹槽的本征多晶硅或者本征非晶硅上形成第一阻挡部，该第一阻挡部的宽度大于或者等于相应的凹槽的宽度；/nS4：对未被该第一阻挡部覆盖的本征多晶硅或者本征非晶硅实现第一导电类型掺杂元素的掺杂以在未被该第一阻挡部覆盖的本征多晶硅或者本征非晶硅中形成第一导电类型掺杂区；/nS5：在步骤S4所形成的结构的背面上形成第二阻挡部，第二阻挡部覆盖部分S4中形成的第一导电类型掺杂区，部分不被第二阻挡部覆盖的第一导电类型掺杂区暴露在外，被覆盖的区域和暴露的区域之间被所述凹槽隔离开；/nS6：对未被该第二阻挡部覆盖的第一导电类型掺杂区进行第二导电类型掺杂元素的掺杂以使得未被该第二阻挡部覆盖的第一导电类型掺杂区反型形成第二导电类型掺杂区，第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区之间被凹槽和未经掺杂的本征多晶硅或者本征非晶硅隔离开；/nS7：去除该第一阻挡部与该第二阻挡部，热处理该衬底；所述非晶硅在该热处理步骤中转化为多晶硅；/nS8：在经过掺杂的和未经掺杂的本征多晶硅的背面上与每条凹槽相对应的位置处形成第三阻挡部并暴露出至少部分的第一导电类型掺杂区和至少部分的第二导电类型掺杂区，第三阻挡部覆盖部分的或全部的凹槽；/nS9：在步骤S8所形成的结构的背面形成金属层，该金属层覆盖暴露的至少部分的第一导电类型掺杂区和暴露的至少部分的第二导电类型掺杂区以及该第三阻挡部；/nS10：剥离该第三阻挡部以及覆盖于该第三阻挡部上的金属层。/n