[发明专利]一种高压LED芯片深刻蚀工艺在审
| 申请号： | 201610975098.1 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449906A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 储志兵;唐军;刘亚柱;潘尧波 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压LED芯片深刻蚀工艺，包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。本发明使芯片刻蚀走道与侧壁平整度明显提高，可以减少HV芯片产品的漏电风险，提高HV芯片产品的电性品位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 led 芯片 深刻 工艺 | ||
【主权项】：
一种高压LED芯片深刻蚀工艺，其特征在于：包括以下步骤：(1)选取外延片，首先进行MESA制程，制作出所需要的图形；(2)进行掩膜SiO2层的沉积，同时对非腐蚀区域进行保护，然后CUT黄光制程；(3)浸泡BOE溶液，在室温条件下湿法蚀刻待刻蚀走道的掩膜硅，再进行ICP干法刻蚀；(4)去除光刻胶，之后在进行180℃下浸泡自制衬底腐蚀液下腐蚀3～5min对刻蚀走道以及侧壁进行化学湿法修饰；(5)高温腐蚀结束后冲水洗净，再于室温条件下再浸泡BOE溶液去除掩膜硅清洗甩干；(6)掩膜硅去除后，再进行后续的P硅、ITO、PN、钝化硅光刻，金属熔合后完成点测。
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