[发明专利]具散热座及双增层电路的散热增益型半导体组件及其制法在审
申请号: | 201610971012.8 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN107230640A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 林文强;王家忠 | 申请(专利权)人: | 钰桥半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/544 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 方丁一 |
地址: | 中国台湾台北*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明关于一种半导体组件的制作方法,其将半导体元件嵌埋于散热座中,并电性连接至两步骤形成的互连基板。于一优选实施方式中,该互连基板由第一及第二增层电路所组成,且该制作方法的特征在于,借由黏着剂,将半导体次组件贴附至散热座,其中该半导体次组件具有接置于牺牲载板上的第一增层电路,且半导体元件插置于散热座的凹穴中,以及自第一增层电路移除牺牲载板的步骤。散热座可提供散热途径,而第一及第二增层电路提供半导体元件阶段式的扇出路由。 | ||
搜索关键词: | 散热 双增层 电路 增益 半导体 组件 及其 制法 | ||
【主权项】:
一种散热增益型半导体组件的制作方法,其特征在于,包括:提供具有一凹穴的一散热座;提供一半导体次组件,其包括:提供一半导体元件;提供一第一增层电路于一牺牲载板上,其中该第一增层电路可拆分式地接置于该牺牲载板上;及借由多个凸块,将该半导体元件电性耦接至该第一增层电路;借由一黏着剂,将该半导体次组件贴附至该散热座,并使该半导体元件插入该凹穴,且该第一增层电路侧向延伸于该凹穴外;自该第一增层电路移除该牺牲载板;以及形成一第二增层电路于该散热座及该第一增层电路上,其中该第二增层电路借由导电盲孔,电性耦接至该第一增层电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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