[发明专利]具散热座及双增层电路的散热增益型半导体组件及其制法在审

专利信息
申请号: 201610971012.8 申请日: 2016-11-04
公开(公告)号: CN107230640A 公开(公告)日: 2017-10-03
发明(设计)人: 林文强;王家忠 申请(专利权)人: 钰桥半导体股份有限公司
主分类号: H01L21/48 分类号: H01L21/48;H01L23/367;H01L23/498;H01L23/544
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 方丁一
地址: 中国台湾台北*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明关于一种半导体组件的制作方法,其将半导体元件嵌埋于散热座中,并电性连接至两步骤形成的互连基板。于一优选实施方式中,该互连基板由第一及第二增层电路所组成,且该制作方法的特征在于,借由黏着剂,将半导体次组件贴附至散热座,其中该半导体次组件具有接置于牺牲载板上的第一增层电路,且半导体元件插置于散热座的凹穴中,以及自第一增层电路移除牺牲载板的步骤。散热座可提供散热途径,而第一及第二增层电路提供半导体元件阶段式的扇出路由。
搜索关键词: 散热 双增层 电路 增益 半导体 组件 及其 制法
【主权项】:
一种散热增益型半导体组件的制作方法,其特征在于,包括:提供具有一凹穴的一散热座;提供一半导体次组件,其包括:提供一半导体元件;提供一第一增层电路于一牺牲载板上,其中该第一增层电路可拆分式地接置于该牺牲载板上;及借由多个凸块,将该半导体元件电性耦接至该第一增层电路;借由一黏着剂,将该半导体次组件贴附至该散热座,并使该半导体元件插入该凹穴,且该第一增层电路侧向延伸于该凹穴外;自该第一增层电路移除该牺牲载板;以及形成一第二增层电路于该散热座及该第一增层电路上,其中该第二增层电路借由导电盲孔,电性耦接至该第一增层电路。
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