[发明专利]一种沟槽栅型IGBT及其制备方法有效
| 申请号： | 201610969555.6 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106252402B | 公开（公告）日： | 2019-05-03 |
| 发明（设计）人： | 罗海辉;刘国友;肖海波;覃荣震;谭灿健 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种沟槽栅型IGBT及其制备方法，其中，所述沟槽栅型IGBT的制备方法在将所述沟槽栅暴露出来后，首先在所述沟槽栅表面形成一层导电层，然后在所述导电层背离所述沟槽栅一侧形成栅极，所述导电层和所述栅极共同构成所述沟槽栅型IGBT的细栅线，由于所述导电层的导电能力要强于多晶硅的导电能力，因此由所述导电层和所述栅极构成的细栅线的导电能力要强于由多晶硅和所述栅极构成的细栅线的导电能力，从而使用较少的主栅线连接，从而提升器件的有源区面积，进而提升器件的电流密度。由所述导电层和所述栅极构成的细栅线也可以保证所述沟槽栅型IGBT的各个元胞接收到的栅极信号的同步性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽栅型IGBT的制备方法，其特征在于，包括：提供第一掺杂类型的衬底；在所述衬底正面内部形成第二掺杂类型的基区，并在所述基区内部形成多个沟槽栅；形成覆盖所述衬底正面的绝缘层，并对所述绝缘层进行刻蚀，使所述沟槽栅至少部分暴露出来；在所述沟槽栅背离所述衬底一侧表面形成导电层；在所述导电层背离所述沟槽栅一侧形成栅极；形成所述沟槽栅型IGBT的发射区、发射极和背面结构；所述在所述沟槽栅背离所述衬底一侧表面形成导电层包括；在所述沟槽栅背离所述衬底一侧表面形成预设复合层；对所述预设复合层进行退火处理；对经过退火处理的预设复合层进行选择性刻蚀，在所述沟槽栅背离所述衬底一侧表面形成导电层；当所述衬底为硅衬底时；所述预设复合层包括交替排列的钛金属层和多晶硅层；所述导电层包括交替排列的硅化钛层和多晶硅层。。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株洲中车时代电气股份有限公司，未经株洲中车时代电气股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610969555.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种逆阻型绝缘栅双极晶体管终端结构
- 下一篇：一种HEMT外延结构及制备方法
- 同类专利
- 专利分类
