[发明专利]电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构在审
| 申请号： | 201610965202.9 | 申请日： | 2016-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN106449548A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 陈于伟;谷顺虎;王艳;黄芳 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十四研究所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/367;H01L23/38 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所50215 | 代理人： | 侯懋琪;侯春乐 |
| 地址： | 400060 重庆*** | 国省代码： | 重庆;85 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，所述电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构由电子倍增电荷耦合器芯片、半导体制冷器、PGA陶瓷管壳、光窗片和热沉板组成；本发明的有益技术效果是：提供了一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，该封装结构尺寸较小，半导体制冷器直接与芯片进行热交换，工作效率较高，可以采用功耗较低、体积较小的半导体制冷器。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 倍增 电荷耦合器件 微型 封装 结构 | ||
【主权项】：
一种电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构，其特征在于：所述电子倍增电荷耦合器件用微型封装结构由电子倍增电荷耦合器芯片（1）、半导体制冷器（2）、PGA陶瓷管壳（3）、光窗片（4）和热沉板（5）组成；所述热沉板（5）设置在PGA陶瓷管壳（3）的下端面上；PGA陶瓷管壳（3）的上端面上设置有安装槽；半导体制冷器（2）下端面通过环氧树脂填料与安装槽底部粘接，半导体制冷器（2）的位置与热沉板的位置相对；电荷耦合器芯片（1）设置于半导体制冷器（2）上端面的中部，电荷耦合器芯片（1）的下端面通过环氧树脂填料与半导体制冷器（2）上端面粘接；光窗片（4）将PGA陶瓷管壳（3）上端的开口部封闭，光窗片（4）下端面和PGA陶瓷管壳（3）上端面的接触部通过密封胶粘接。
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