[发明专利]一种三极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201610961640.8 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN106601797A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 李风浪;李舒歆 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/72 | 分类号： | H01L29/72;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种三极管及其制造方法。本发明三极管，包括基区、集电区、发射区、基极、集电极、发射极以及衬底，所述集电区形成在所述衬底上，所述基区形成在所述集电区上，基区引出所述基极，集电区引出所述集电极，发射区引出所述发射极，还包括介质阻挡区，所述介质阻挡区形成在所述基区上，所述基区上形成n个基区凸起结构，n为大于等于1的整数，所述发射区形成在所述介质阻挡区上，并且通过所述基区凸起结构与所述基区侧向接触形成发射结。本发明可以更灵活的控制发射结面积，以便优化三极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种三极管，包括：基区、集电区、发射区、基极、集电极、发射极以及衬底，所述集电区形成在所述衬底上，所述基区形成在所述集电区上，基区引出所述基极，集电区引出所述集电极，发射区引出所述发射极，其特征在于，还包括介质阻挡区，所述介质阻挡区形成在所述基区上，所述基区上形成n个基区凸起结构，n为大于等于1的整数，所述发射区形成在所述介质阻挡区上，并且通过所述基区凸起结构与所述基区侧向接触形成发射结。
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