[发明专利]一种三极管及其制造方法

权利要求书

1.一种三极管，包括：基区、集电区、发射区、基极、集电极、发射极以及衬底，所述集电区形成在所述衬底上，所述基区形成在所述集电区上，基区引出所述基极，集电区引出所述集电极，发射区引出所述发射极，其特征在于，还包括介质阻挡区，所述介质阻挡区形成在所述基区上，所述基区上形成n个基区凸起结构，n为大于等于1的整数，所述发射区形成在所述介质阻挡区上，并且通过所述基区凸起结构与所述基区侧向接触形成发射结。

2.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述集电区包括掺杂浓度高于集电区的集电极接触区，由所述集电极接触区引出集电极。

3.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述基区包括无基区凸起结构处掺杂浓度高于基区的基极接触区，由所述基极接触区引出基极。

4.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述发射区与所述基区凸起结构一侧侧向接触形成发射结。

5.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述发射区与所述基区凸起结构两侧侧向接触形成发射结。

6.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述介质阻挡区材料为氮化硅或氧化硅。

7.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述发射区材料为硅，基区材料为锗硅或者锗硅碳。

8.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：所述基区与所述介质阻挡区之间形成非本征低电阻基区。

9.根据权利要求1所述的三极管，其特征在于：发射区厚度大于所述基区凸起结构与发射区接触的厚度。

10.一种三极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)在衬底上生长外延层，通过刻蚀工艺形成集电区，在刻蚀掉的区域的填充绝缘介质，并对填充绝缘介质一侧的表面进行研磨，形成平整的表面；

(2)在步骤(1)处理过的表面上沉积基区材料、介质阻挡区材料以及发射区材料；

(3)刻蚀部分发射区材料以及相对的介质阻挡区材料，用与步骤(2)沉积基区材料相同的工艺条件沉积基区材料填充介质阻挡区以及发射区被刻蚀区域，形成基区凸起结构；

(4)刻蚀无基区凸起结构的部分发射区材料，漏出介质阻挡区；

(5)基区引出所述基极，集电区引出所述集电极，发射区引出所述发射极。