[发明专利]萘四甲酸二酐衍生物在倒置钙钛矿太阳能电池中的应用有效

专利信息
申请号: 201610956970.8 申请日: 2016-10-28
公开(公告)号: CN106410038B 公开(公告)日: 2020-03-20
发明(设计)人: 孟鸿;彭森;黄维 申请(专利权)人: 南京工业大学
主分类号: C07D471/06 分类号: C07D471/06;H01L51/42;H01L51/44
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 211800 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及萘四甲酸二酐衍生物用于倒置钙钛矿太阳能电池中电子传输层/阴极的界面修饰方面的应用。萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构如下所示:式中R1、R2可以相同或者不相同,独立选自C1‑C20的长烷基链,X为Cl、Br或I等,n=0‑16。倒置钙钛矿太阳能电池的器件结构为:ITO/空穴传输层/钙钛矿层/电子传输层/阴极。将萘四甲酸二酐衍生物用于钙钛矿太阳能电池中的电子传输层/阴极的界面上,首先,可调节电子传输层的形貌,减少膜中的缺陷密度,提高电子传输层的质量;其次,引入萘四甲酸二酐衍生物界面修饰层,可以有效地加速电子从电子传输层向阴极的传输,从而有利于器件效率的提高。此外,由于萘四甲酸二酐衍生物的溶解性较好,可通过溶液旋涂法将其引入到钙钛矿太阳能电池中,操作非常简单,可重复性好。
搜索关键词: 甲酸 衍生物 倒置 钙钛矿 太阳能电池 中的 应用
【主权项】:
萘四甲酸二酐衍生物的化合物结构:式中R1、R2可以相同或者不相同,独立选自C1‑C20的长烷基链,X为Cl、Br或I等,n=0‑16。
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