[发明专利]一种有机薄膜晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610956686.0 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN106299125B | 公开（公告）日： | 2019-06-11 |
| 发明（设计）人： | 刘哲 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机薄膜晶体管及其制作方法。该制作方法包括：提供一基板；在基板上形成有机半导体图案、与有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，有机半导体图案包括与源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离源/漏极图案的第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区具有不同的电导率。通过上述方式，本发明能够大大提高源/漏极图案与有机半导体图案的接触性，进而减少有机薄膜晶体管中的漏电问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 薄膜晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一基板；在所述基板上形成有机半导体图案、与所述有机半导体图案两侧接触的源/漏极图案，其中，所述有机半导体图案包括与所述源/漏极图案接触的第一掺杂区和远离所述源/漏极图案的第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区具有不同的电导率；在形成有所述有机半导体图案和所述源漏极图案的所述基板上形成第一绝缘层、栅极图案、信号传输线、第二绝缘层和像素电极；其中，所述第一掺杂区的电导率大于所述第二掺杂区的电导率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电技术有限公司，未经武汉华星光电技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610956686.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
