[发明专利]薄膜装置和薄膜装置的制造方法在审
| 申请号： | 201610937767.6 | 申请日： | 2016-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN106935595A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 竹知和重;冈本守 | 申请（专利权）人： | NLT科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华,何月华 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜装置和薄膜装置的制造方法。一种薄膜装置，包括包括第一表面以及与该第一表面相对的第二表面的树脂膜；在第一表面上的第一无机层；在第一无机层上的薄膜元件；以及在第二表面上的第二无机层，其中，第二无机层的膜密度比第一无机层的膜密度大。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜装置，包括：树脂膜，所述树脂膜包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；第一无机层，所述第一无机层在所述第一表面上；薄膜元件，所述薄膜元件在所述第一无机层上；以及第二无机层，所述第二无机层在所述第二表面上，其中，所述第二无机层的膜密度比所述第一无机层的膜密度大。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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