[发明专利]薄膜装置和薄膜装置的制造方法

权利要求书

1.一种薄膜装置，包括：

树脂膜，所述树脂膜包括第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面；

第一无机层，所述第一无机层在所述第一表面上；

薄膜元件，所述薄膜元件在所述第一无机层上；以及

第二无机层，所述第二无机层在所述第二表面上，

其中，所述第二无机层的膜密度比所述第一无机层的膜密度大。

2.根据权利要求1所述的薄膜装置，其中，所述第二无机层和所述树脂膜通过粘接层粘接。

3.根据权利要求1所述的薄膜装置，其中，与所述第二无机层和所述树脂膜之间的界面的凹凸结构相比，所述第一无机层和所述树脂膜之间的界面具有更长凹凸周期的凹凸结构。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜装置，其中，所述第二无机层是氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、以及氧化钽膜中的任一者。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的薄膜装置，其中，所述第二无机层具有包括氧化硅膜、氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧化铝膜、以及氧化钽膜中的至少两种膜的层叠结构。

6.根据权利要求4或5所述的薄膜装置，其中，构成所述第二无机层的氧化硅膜的膜密度大于或等于2.25g/cm³。

7.根据权利要求4或5所述的薄膜装置，其中，构成所述第二无机层的氮化硅膜的膜密度大于或等于2.70g/cm³。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜装置，其中，在所述第二无机层的不与所述树脂膜面对的表面上形成包含锗的表面层。

9.根据权利要求8所述的薄膜装置，其中，包含锗的所述表面层中的锗以所述锗与氧或氮化学键合的状态存在。

10.根据权利要求8或9所述的薄膜装置，其中，包含锗的所述表面层中的锗的浓度大于或等于1×10¹⁸cm^-3。

11.根据权利要求1至7中任一项所述的薄膜装置，其中，在所述第二无机层的不与所述树脂膜面对的表面上形成包含钼的表面层。

12.根据权利要求11所述的薄膜装置，其中，包含钼的所述表面层中的钼以所述钼与氧或氮化学键合的状态存在。

13.根据权利要求11或12所述的薄膜装置，其中，包含钼的所述表面层中的钼的浓度大于或等于1×10¹⁸cm^-3。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的薄膜装置，其中，所述薄膜元件是这样的显示元件，所述显示元件包括配置成矩阵状的有源元件和像素显示单元的组合单元。

15.根据权利要求14所述的薄膜装置，其中，所述像素显示单元是包括有机电致发光EL的显示元件。

16.根据权利要求14所述的薄膜装置，其中，所述像素显示单元是包括液晶的显示元件。

17.根据权利要求14至16中任一项所述的薄膜装置，其中，所述有源元件是薄膜晶体管。

18.根据权利要求17所述的薄膜装置，其中，所述薄膜晶体管的沟道活性层是氧化物半导体膜、非晶硅膜、多晶硅膜、微晶硅膜、以及有机半导体膜中的任一者。

19.根据权利要求1至13中任一项所述的薄膜装置，其中，所述薄膜元件是使用硅的PIN结的薄膜太阳能电池、或者包括Cu-In-S或Cu-In-Se的黄铜矿类化合物的薄膜太阳能电池。

20.一种薄膜装置的制造方法，包括：

在基板上形成氧化锗膜或氧化钼膜；

在所述氧化锗膜或所述氧化钼膜上形成第二无机层；

在所述第二无机层上形成树脂膜；

在所述树脂膜上形成第一无机层；

形成薄膜元件；以及

通过浸渍在水或水溶液中使所述氧化锗膜或所述氧化钼膜溶解，从而使所述基板和所述第二无机层剥离。

21.根据权利要求20所述的薄膜装置的制造方法，其中，所述第二无机层的形成包括在大于或等于350℃的基板温度下形成所述第二无机层、或者在形成所述第二无机层之后在大于或等于350℃的温度下退火。