[发明专利]离子注入工艺对准质量的检验方法有效
| 申请号： | 201610935706.6 | 申请日： | 2016-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN108010857B | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 贺冠中 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 张娜;刘芳 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种离子注入工艺对准质量的检验方法，包括：在半导体基底的预定区域形成具有第一图形的覆盖层；同时在半导体基底的目标区域和覆盖层上形成掩膜层，目标区域为需进行离子注入工艺的区域；以掩膜层为掩膜，先进行离子注入工艺；以掩膜层为掩膜，刻蚀覆盖层，形成第二图形；根据第一图形和第二图形的相对位置，检验离子注入工艺是否对准。本发明提供方法根据第一图形和第二图形的相对位置，即可检验离子注入工艺是否对准，解决了离子注入工艺去除掩模后无法判断离子注入图形对准质量的问题，尽早检测离子注入对准质量，使对准异常的产品无需完成后续生产流程，节约生产成本，提高半导体产品的市场竞争力。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 注入 工艺 对准 质量 检验 方法 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入工艺对准质量的检验方法，其特征在于，包括：在半导体基底的预定区域形成具有第一图形的覆盖层；同时在所述半导体基底的目标区域和所述覆盖层上形成掩膜层，所述目标区域为需进行离子注入工艺的区域；以所述掩膜层为掩膜，进行离子注入工艺；以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述覆盖层，形成第二图形；根据所述第一图形和所述第二图形的相对位置，检验所述离子注入工艺是否对准。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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