[发明专利]太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法

摘要

本发明公开了一种太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法，即采用背向湿法刻蚀的方法实现热弱连接。在该太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法中，探测器被制备在三层结构的SOI基板正面，湿法刻蚀中，基板正面被保护胶保护的同时安装在特殊设计的安装模具中进行密封，保证基板背面与碱性溶液接触。首先基板背面采用干刻法刻蚀掉SOI基板中氮化硅薄膜，形成需要湿法刻蚀的区域，再将基板浸入碱性溶液中，从基板背面湿法刻蚀掉基板中硅，形成热弱连接的结构。本发明利用介质基片与特殊碱性溶液的化学反应，减薄辐射吸收体和测温体背向的基片厚度，实现探测器的热弱连接，提高探测器的探测灵敏度。

主权项

1.一种太赫兹超导相变边缘探测器热弱连接制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用三层结构的圆形SOI介质基片作为探测器的制备基板（1），所述三层结构分别为氮化硅/硅/氮化硅，在基板（1）正面制备完成太赫兹超导相变边缘探测器（2）后，将基板（1）背面中对应于探测器（2）辐射吸收体和测温体的区域进行离子刻蚀，去除氮化硅层，露出硅材料，形成一个正方形区域；在基板（1）正面涂覆防止碱性溶液腐蚀的保护胶，将基板（1）背面朝上放置在安装模具（3）内，并采用O型密封圈对基板（1）的正面和侧面进行密封；把安装模具（3）浸入碱性溶液中，碱性溶液与正方形区域中的硅发生反应，直至氮化硅层；所述安装模具（3）包括将基板（1）夹设在中间的上部（31）和下部（32），上部（31）和下部（32）紧密连接，上部（31）具有将正方形区域暴露出来的孔洞；所述O型密封圈包括上O型圈（4）、下O型圈（5）和侧O型圈（6），均安装在上部（31）和下部（32）之间；上O型圈（4）和下O型圈（5）大小结构相同，直径略小于基板（1）直径，紧贴基板（1）边缘设置，将基板（1）夹设在中间；侧O型圈（6）直径略大于基板（1）直径，围绕基板（1）的圆周侧设置。