[发明专利]一种通过构造一维超结构来调制二维材料能带结构的方法在审
| 申请号： | 201610930091.8 | 申请日： | 2016-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN108022826A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 张艳锋;周协波;洪敏;史建平;张哲朋 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C23C16/26;C23C16/30 |
| 代理公司： | 北京方安思达知识产权代理有限公司 11472 | 代理人： | 王宇杨;李彪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种通过构造一维超结构来调制二维材料能带结构的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔在管式炉中950～1000℃退火8～10小时，确保金箔表面产生Au(001)重构；2)将退火处理后的金箔送入高温管式炉中，采用化学气相沉积法在Au(001)基底上生长二维材料，借助Au(001)基底具有独特的一维条状超结构使得二维材料也表现出一维条状超结构，达到调制二维材料能带结构的结果。该调制方法简便易操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通过 构造 一维超 结构 调制 二维 材料 能带 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通过构造一维超结构来调制二维材料能带结构的方法，所述方法包括以下步骤：1)将金箔在管式炉中950～1000℃退火8～10小时，确保金箔表面产生Au(001)重构；2)将退火处理后的金箔送入高温管式炉中，采用化学气相沉积法在Au(001)基底上生长二维材料，借助Au(001)基底具有独特的一维条状超结构使得二维材料也表现出一维条状超结构，达到调制二维材料能带结构的结果。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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