[发明专利]闪存器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种闪存器件及其制造方法，涉及半导体技术领域。该闪存器件可以包括：衬底；在该衬底的一部分上的电极层，该电极层为功函数调节层或金属硅化物层；以及存储单元，该存储单元包括：在电极层上的沟道结构，该沟道结构从内到外依次包括：与电极层接触的沟道层、包绕在该沟道层表面上的隧穿绝缘物层、包绕在该隧穿绝缘物层表面上的电荷捕获层、以及包绕在该电荷捕获层表面上的阻挡层；以及沿着沟道结构的轴向排列的包绕沟道结构的多个栅极结构。本发明的闪存器件可以形成在电介质层上，从而可以与后段制程相兼容。

主权项

一种闪存器件，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底的一部分上的电极层，所述电极层为功函数调节层或金属硅化物层；以及存储单元，所述存储单元包括：在所述电极层上的沟道结构，所述沟道结构从内到外依次包括：与所述电极层接触的沟道层、包绕在所述沟道层表面上的隧穿绝缘物层、包绕在所述隧穿绝缘物层表面上的电荷捕获层、以及包绕在所述电荷捕获层表面上的阻挡层；以及沿着所述沟道结构的轴向排列的包绕所述沟道结构的多个栅极结构。