[发明专利]具有工艺管压力控制装置的半导体热处理设备及控制方法

摘要

本发明公开了一种具有工艺管压力控制装置的半导体热处理设备及控制方法，通过将压力控制器原有的一个采样点增加为两个采样点，其中一个采样点可继续采集工艺管排气端的压力，另一个采样点用于采集承载区域内的压力，并增加在工艺的不同阶段对第一、第二采样点进行切换的功能，实现不同工艺步骤对工艺管内压力的不同控制方法，从而可在满足原有的工艺压力控制需求的前提下，实现在工艺过程的升降舟阶段避免承载区域内气体进入工艺管的控制目标，减少了气流冲击对工艺产品表面膜厚均匀性的影响。

主权项

1.一种具有工艺管压力控制装置的半导体热处理设备，所述半导体热处理设备设有工艺管及承载区域，并通过工艺门进行隔离，其特征在于，所述控制装置设有压力控制器，所述压力控制器设有采样端和参考端，所述参考端设有第一、第二采样点，所述采样端用于采集工艺管内的压力，所述第一采样点用于采集工艺管排气端的压力，所述第二采样点用于采集承载区域内的压力；/n其中，所述压力控制器通过在第一、第二采样点之间进行切换，进行工艺管内压力的控制：/n工艺阶段，工艺门处于关闭状态，所述压力控制器通过第一采样点采集工艺管排气端的压力，并将控制目标设定为工艺菜单设定的压力控制目标值；/n升降舟阶段，工艺门处于打开状态，所述压力控制器通过第二采样点采集承载区域内的压力，并将控制目标设定为0，使工艺管内的压力等于承载区域内的压力，以消除工艺管与承载区域之间存在的压差；/n其中，所述压力控制器通过第一采样管路连接第一采样点，并在所述第一采样管路设有第一控制阀，位于所述第一控制阀与压力控制器之间的第一采样管路设有第二采样管路，所述压力控制器通过第二采样管路连接第二采样点，并在所述第二采样管路设有第二控制阀；/n还包括一主控模块，用于设定压力控制器的控制目标以及对第一、第二控制阀进行切换。/n