[发明专利]具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管

摘要

本发明涉及具有完全耗尽的沟道区的功率半导体晶体管。一种功率半导体晶体管包括耦合到第一负载端子的半导体主体，该晶体管进一步具有：半导体漂移区，被包括在所述半导体主体中；第一沟槽，沿垂直方向延伸到半导体主体中；第一源区；第一半导体沟道区；第二沟槽，沿所述垂直方向延伸到所述半导体主体中；引导区域，电连接到所述第一负载端子。

主权项

一种功率半导体晶体管（1），包括耦合到第一负载端子（11）的半导体主体（10），该晶体管（1）进一步具有：‑ 半导体漂移区（100），被包括在所述半导体主体（10）中且具有第一导电类型的掺杂剂；‑ 第一沟槽（13‑1），沿垂直方向（Z）延伸到所述半导体主体（10）中，所述第一沟槽（13‑1）包括通过第一绝缘体（132‑1）与所述半导体主体（10）电绝缘的第一控制电极（131‑1），其中所述第一沟槽（13‑1）受两个第一沟槽侧壁（133‑1）横向限制且受第一沟槽底部（134‑1）垂直限制；‑ 第一源区（101‑1），与所述第一沟槽侧壁（133‑1）中的一个邻近地横向布置且电连接到所述第一负载端子（11）；‑ 第一半导体沟道区（102‑1），被包括在所述半导体主体（10）中且同所述第一源区（101‑1）与相同的第一沟槽侧壁（133‑1）邻近地横向布置，所述第一半导体沟道区（102‑1）具有第二导电类型的掺杂剂且将所述第一源区（101‑1）与所述漂移区（100）隔离；‑ 第二沟槽（13‑2），沿所述垂直方向（Z）延伸到所述半导体主体（10）中，其中所述第二沟槽（13‑2）受两个第二沟槽侧壁（133‑2）横向限制且受第二沟槽底部（134‑2）垂直限制；以及‑ 引导区域（103），电连接到所述第一负载端子（11）且比所述第一沟槽底部（134‑1）更深地延伸到所述半导体主体（10）中，所述引导区域（103）与所述第一半导体沟道区（102‑1）分离地且与所述两个第一沟槽侧壁（133‑1）中的另一个和所述第二沟槽侧壁（133‑2）中的一个中的每一个邻近地布置，其中在比所述第一沟槽底部（134‑1）更深地布置的区段（1033）中，所述引导区域（103）向着所述第一半导体沟道区（102‑1）横向延伸，其中所述第一沟槽侧壁（133‑1）与所述第二沟槽侧壁（133‑2）之间沿第一横向方向（X）的距离总计小于100nm。